平板探測器從能量轉換的方式可以分為兩種 :間接轉換平板探測器( indirect FPD)和直接轉換平板探測器( directFPD) 。

  間接轉換平板探測器

  間接轉換平板探測器由碘化銫等閃爍晶體涂層與薄膜晶體管( Thi n Film T ransistor , T FT)或電荷耦合器件( C hargeC oupling Device , C CD)或 互 補 型 金 屬 氧 化 物 半 導 體( Com plem en tary M etal Oxide S em i -Conductor , CM OS)構成 。間接轉換平板探測器的工作過程一般分為兩步 , 首先閃爍晶體涂層將 X 線的能量轉換成可見光 ;其次 TF T 或者C CD , 或 C MO S 將可見光轉換成電信號。由于在這過程中可見光會發生散射 , 對空間分辨率產生一定的影響 。雖然新工藝中將閃爍體加工成柱狀以提高對 X 線的利用及降低散射 ,但散射光對空間分辨率的影響不能完全消除 。

  直接轉換平板探測器

  直接轉換平板探測器主要由非晶硒層 (Am orph ou s S elenium , a -S e ) T FT 構成 。入射的 X 射線使硒層產生電子空穴對, 在外加偏壓電場作用下 , 電子和空穴對向相反的方向移動形成電流 , 電流在薄膜晶體管中形成儲存電荷 。每一個晶體管的儲存電荷量對應于入射 X 射線的劑量 , 通過讀出電路可以知道每一點的電荷量 ,進而知道每點的 X 線劑量 。由于非晶硒不產生可見光 , 沒有散射線的影響 , 因此可以獲得比較高的空間分辨率